MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 183 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3032
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
2,18 €
(exc. IVA)
2,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 798 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,09 € | 2,18 € |
| 10 - 48 | 1,06 € | 2,12 € |
| 50 - 98 | 1,03 € | 2,06 € |
| 100 - 248 | 1,01 € | 2,02 € |
| 250 + | 0,985 € | 1,97 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-3032
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7734TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 183A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 270nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 290W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Lead-Free | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 183A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 270nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 290W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Lead-Free | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de Infineon en un encapsulado D2-Pak está optimizado para la más amplia disponibilidad de los socios de distribución.
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V TO-220
- MOSFET VDSS 75 V TO-220
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines