MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 183 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
273-3032
Nº ref. fabric.:
IRFS7734TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

183A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

270nC

Disipación de potencia máxima Pd

290W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Lead-Free

El MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de Infineon en un encapsulado D2-Pak está optimizado para la más amplia disponibilidad de los socios de distribución.

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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