MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 120 A, N, TO-263
- Código RS:
- 259-1545
- Nº ref. fabric.:
- IPB038N12N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-1545
- Nº ref. fabric.:
- IPB038N12N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon 120V optimos ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado encendido más bajas del sector y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología optimos de 120 V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más baja del mundo
Muy baja Q g y Q gd
Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)
Sin halógenos conforme con RoHS
Nivel de protección MSL1 2