MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, PG-TO263-3

Código RS:: 259-1545
Nº ref. fabric.:: IPB038N12N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, PG-TO263-3

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

3,236 €

(exc. IVA)

3,916 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	3,236 €	3.236,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 259-1545
Nº ref. fabric.:: IPB038N12N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB038N12N3GATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La familia Infineon 120V optimos ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado encendido más bajas del sector y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología optimos de 120 V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.

Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más baja del mundo
Muy baja Q g y Q gd
Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)
Sin halógenos conforme con RoHS
Nivel de protección MSL1 2

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO263-3
Tipo de Montaje	Montaje superficial

MOSFET Infineon IPB038N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, PG-TO263-3

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Especificaciones

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