Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

El MOSFET Infineon OptiMOS 5 80V de potencia industrial IPB031N08N5 ofrece una reducción RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, controladores de baja tensión y adaptadores.

Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %
Reducción de R DS(on) hasta el 44 %
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión