MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 826-9092
- Nº ref. fabric.:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
1,381 €
(exc. IVA)
1,671 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
10 + | 1,381 € | 13,81 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9092
- Nº ref. fabric.:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
Serie | OptiMOS P |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,2 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
Disipación de Potencia Máxima | 136 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 180 nC a 10 V |
Longitud | 10mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Ancho | 9.25mm |
Altura | 4.4mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK...
- MOSFET Infineon IPP120P04P4L03AKSA1, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220...
- MOSFET Infineon IRFB7446PBF, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220AB de 3...
- MOSFET Infineon IRFB7446PBF, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220AB de 3...
- MOSFET Vishay SQM40041EL_GE3, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263)...
- MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK...
- MOSFET STMicroelectronics STH175N4F6-2AG, VDSS 40 V, ID 120 A,...
- MOSFET STMicroelectronics STP360N4F6, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220...