MOSFET Infineon IPP120P04P4L03AKSA1, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-9267
- Nº ref. fabric.:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
1550 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
2,714 €
(exc. IVA)
3,284 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 2,714 € | 135,70 € |
| 100 - 200 | 2,579 € | 128,95 € |
| 250 - 450 | 2,443 € | 122,15 € |
| 500 + | 2,307 € | 115,35 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 145-9267
- Nº ref. fabric.:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Serie | OptiMOS P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 136 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Ancho | 4.4mm |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 180 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Altura | 15.65mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 145-9267
- Nº ref. fabric.:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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