Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP023N10N5AKSA1, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
110-7116
Nº ref. fabric.:
IPP023N10N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

168nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.57 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Altura

15.95mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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