Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-5935
Nº ref. fabric.:
IPP055N03LGXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS

Anchura

4.57 mm

Altura

15.95mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 50 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V - IPP055N03LGXKSA1


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para diversas aplicaciones electrónicas, incluidos los sistemas de gestión de potencia. Presenta un encapsulado TO-220 con orificios pasantes, que mide 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm. Especialmente indicado para las industrias de automatización y eléctrica, este dispositivo garantiza un rendimiento óptimo en condiciones rigurosas.

Características y ventajas


• La capacidad de conmutación rápida mejora la eficiencia en aplicaciones de potencia

• La baja resistencia de la fuente de drenaje minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• Avalancha nominal para una mayor durabilidad bajo tensión

• El diseño de canal N de nivel lógico permite la compatibilidad con accionamientos de bajo voltaje

• Corriente de drenaje continua máxima de 50 A para tareas exigentes

Aplicaciones


• Se utiliza para la conversión CC/CC en fuentes de alimentación

• Ideal para la rectificación síncrona en convertidores de alta eficiencia

• Facilita el control de motores en sistemas de automatización industrial

• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos

• Adecuado tanto para la electrónica de consumo como para las energías renovables

¿Cuál es la importancia de su bajo RDS(on) en aplicaciones de potencia?


Un RDS(on) bajo reduce la caída de tensión en estado encendido, lo que disminuye directamente la generación de calor y mejora la eficiencia. Esto es crucial para mantener el rendimiento en aplicaciones de alta corriente, garantizando que se desperdicie menos energía en forma de calor.

¿Cómo soporta este MOSFET las altas temperaturas durante su funcionamiento?


Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, presenta unas características térmicas robustas que le permiten funcionar con fiabilidad en entornos difíciles sin comprometer su rendimiento.

¿Qué tipo de aplicaciones pueden beneficiarse del diseño de transistores en modo de mejora?


Los transistores de modo de mejora se utilizan ampliamente en aplicaciones de conmutación, ya que proporcionan un excelente control sobre el flujo de corriente, lo que los hace ideales para soluciones eficientes de gestión de potencia. Esto incluye su uso en fuentes de alimentación y motores de corriente continua.

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