Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPW60R160C6FKSA1, VDSS 600 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
145-8910
Nº ref. fabric.:
IPW60R160C6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS C6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.16Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC J-STD20, JESD22, Pb-Free Plating

Longitud

16.13mm

Anchura

5.21 mm

Altura

21.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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