Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPW60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 123 A, Mejora, PG-TO-247 de 4 pines

Código RS:: 349-265
Nº ref. fabric.:: IPW60R016CM8XKSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPW60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 123 A, Mejora, PG-TO-247 de 4 pines

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Código RS:: 349-265
Nº ref. fabric.:: IPW60R016CM8XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	123A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PG-TO-247
	Serie	IPW
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	16mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	171nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	521W
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS, JEDEC
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 123A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PG-TO-247
	Serie IPW
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 171nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 521W
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPW60R016CM8XKSA1

COO (País de Origen):: CN

Esta plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infeneon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia al ringing, diodo de cuerpo rápido implementado en todos los productos, con una extraordinaria robustez frente a la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas por conmutación y conducción extremadamente bajas del CM8 hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes.

Apto para topologías de conmutación dura y suave

Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia a la oscilación

Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip

Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia

Soluciones de mayor densidad de potencia gracias al uso de productos de menor tamaño

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPW60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 123 A, Mejora, PG-TO-247 de 4 pines

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