MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZA60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 123 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-268
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-268
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 123A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | IPZ | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 521W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 171nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 123A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie IPZ | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 521W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 171nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
Esta plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infeneon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia al ringing, diodo de cuerpo rápido implementado en todos los productos, con una extraordinaria robustez frente a la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas por conmutación y conducción extremadamente bajas del CM8 hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes.
Apto para topologías de conmutación dura y suave
Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia a la oscilación
Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip
Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia
Soluciones de mayor densidad de potencia gracias al uso de productos de menor tamaño
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