MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA75R140M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

Código RS:: 349-347
Nº ref. fabric.:: IMZA75R140M1HXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA75R140M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

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Código RS:: 349-347
Nº ref. fabric.:: IMZA75R140M1HXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	16A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	750V
	Serie	CoolSiC
	Encapsulado	PG-TO247-4
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	182mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	86W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	13nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	23 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 16A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V
	Serie CoolSiC
	Encapsulado PG-TO247-4
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 182mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 86W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IMZA75R140M1HXKSA1

COO (País de Origen):: CN

Este dispositivo de potencia CoolSiC G1 de 750 V de Infineon se basa en la tecnología de carburo de silicio sólido de Infineon, desarrollada a lo largo de más de 20 años. Al aprovechar las características materiales exclusivas del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Está diseñado específicamente para altas temperaturas y condiciones de funcionamiento exigentes, lo que permite la implantación simplificada y rentable de sistemas con la máxima eficacia. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones que requieren un rendimiento robusto y soluciones energéticamente eficientes.

Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V

Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)

Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave

Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta

Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA75R140M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

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