MOSFET, N-Canal Infineon AIMZA75R060M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 32 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

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Código RS:
348-944
Nº ref. fabric.:
AIMZA75R060M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

32A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Serie

CoolSiC

Encapsulado

PG-TO247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

78mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Disipación de potencia máxima Pd

144W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET CoolSiC de 750 V de Infineon está fabricado sobre tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon a lo largo de más de 20 años. Aprovechando las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.

Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon

Pin fuente de controlador disponible

Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V

Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)

Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave

Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta

Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta

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