MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMZA75R008M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 163 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

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Código RS:
351-988
Nº ref. fabric.:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

163A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-TO247-4

Serie

AIMZA75

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.0mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

178nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

517W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

15.9 mm

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

AEC Q101

Longitud

21.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET CoolSiC Automotive de Infineon está construido con la tecnología de carburo de silicio sólido. Ofrece una ventaja en rendimiento, fiabilidad y robustez, con flexibilidad de control de puerta, lo que permite un diseño de sistema simplificado y rentable para conseguir la máxima eficiencia y densidad de potencia.

Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)

Permite una mayor frecuencia de conmutación

Mayor fiabilidad

Robustez frente al giro parásito

Conducción unipolar

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