MOSFET, N-Canal Infineon AIMZA75R008M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 163 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 351-988
- Nº ref. fabric.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 351-988
- Nº ref. fabric.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 163A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 178nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 517W | |
| Tensión directa Vf | 5.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101 | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 163A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie AIMZA75 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 178nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 517W | ||
Tensión directa Vf 5.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 21.1mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101 | ||
Anchura 15.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Este MOSFET CoolSiC Automotive de Infineon está construido con la tecnología de carburo de silicio sólido. Ofrece una ventaja en rendimiento, fiabilidad y robustez, con flexibilidad de control de puerta, lo que permite un diseño de sistema simplificado y rentable para conseguir la máxima eficiencia y densidad de potencia.
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Permite una mayor frecuencia de conmutación
Mayor fiabilidad
Robustez frente al giro parásito
Conducción unipolar
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