MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA75R090M1HXKSA1, VDSS 750 V, ID 23 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-345
- Nº ref. fabric.:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 349-345
- Nº ref. fabric.:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 117mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 117mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este dispositivo de potencia CoolSiC G1 de 750 V de Infineon se basa en la tecnología de carburo de silicio sólido de Infineon, desarrollada a lo largo de más de 20 años. Al aprovechar las características materiales exclusivas del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Está diseñado específicamente para altas temperaturas y condiciones de funcionamiento exigentes, lo que permite la implantación simplificada y rentable de sistemas con la máxima eficacia. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones que requieren un rendimiento robusto y soluciones energéticamente eficientes.
Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave
Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta
Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta
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