MOSFET Infineon IGO60R070D1AUMA2

El transistor de potencia de Infineon es un transistor de potencia de modo de mejora CoolGaN™ de 600 V de nitruro de galio. Este transistor de potencia ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías sencillas de medio puente con la máxima eficiencia. La serie de nitruro de galio CoolGaN™ de 600 V está valorada según una calificación GaN completa y a medida que supera los criterios actuales. Se dirige a SMPS de Datacom y servidores, telecomunicaciones, así como a adaptadores, cargadores, carga inalámbrica y muchas otras aplicaciones que exigen la máxima eficiencia o densidad de potencia.

Reduce las interferencias de campos electromagnéticos
Reducción de costes del sistema
Capaz de conducción inversa
Robustez de conmutación superior
Permite una frecuencia de funcionamiento más alta
Carga de compuerta baja y carga de salida baja