Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGOT65R055D2AUMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-DSO-20 de 20 pines

Código RS:: 351-879
Nº ref. fabric.:: IGOT65R055D2AUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGOT65R055D2AUMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-DSO-20 de 20 pines

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Código RS:: 351-879
Nº ref. fabric.:: IGOT65R055D2AUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	IGOT65
	Encapsulado	PG-DSO-20
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	20
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.066Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	89W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC for Industrial Applications
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie IGOT65
	Encapsulado PG-DSO-20
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 20
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.066Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 89W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications
	Estándar de automoción No

Datasheet - IGOT65R055D2AUMA1

COO (País de Origen):: ID

Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado DSO refrigerado por la parte superior, está diseñado para una disipación de potencia óptima en diversas aplicaciones industriales.

Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V

Conmutación ultrarrápida

Sin carga de recuperación inversa

Capacidad de conducción inversa

Baja carga de puerta, baja carga de salida

Mayor robustez de conmutación

RDS(on) dinámica baja

Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Encapsulado refrigerado por la parte superior

Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGOT65R055D2AUMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-DSO-20 de 20 pines

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