MOSFET, N-Canal Infineon IGOT65R055D2AUMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-DSO-20 de 20 pines
- Código RS:
- 351-879
- Nº ref. fabric.:
- IGOT65R055D2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-879
- Nº ref. fabric.:
- IGOT65R055D2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGOT65 | |
| Encapsulado | PG-DSO-20 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 20 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.066Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGOT65 | ||
Encapsulado PG-DSO-20 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 20 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.066Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- ID
Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado DSO refrigerado por la parte superior, está diseñado para una disipación de potencia óptima en diversas aplicaciones industriales.
Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta, baja carga de salida
Mayor robustez de conmutación
RDS(on) dinámica baja
Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Encapsulado refrigerado por la parte superior
Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)
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