Transistor de potencia Infineon IGO60R070D1AUMA2, VDSS 600 V, ID 60 A, Mejora, PG-DSO-20-85 de 20 pines

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Código RS:
273-2751
Nº ref. fabric.:
IGO60R070D1AUMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolGaN

Encapsulado

PG-DSO-20-85

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

20

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

4.5 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia de Infineon es un transistor de potencia de modo de mejora CoolGaN™ de 600 V de nitruro de galio. Este transistor de potencia ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías sencillas de medio puente con la máxima eficiencia. La serie de nitruro de galio CoolGaN™ de 600 V está valorada según una calificación GaN completa y a medida que supera los criterios actuales. Se dirige a SMPS de Datacom y servidores, telecomunicaciones, así como a adaptadores, cargadores, carga inalámbrica y muchas otras aplicaciones que exigen la máxima eficiencia o densidad de potencia.

Reduce las interferencias de campos electromagnéticos

Reducción de costes del sistema

Capaz de conducción inversa

Robustez de conmutación superior

Permite una frecuencia de funcionamiento más alta

Carga de compuerta baja y carga de salida baja

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