MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

7,42 €

(exc. IVA)

8,98 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 90 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,484 €7,42 €
50 - 951,236 €6,18 €
100 - 2451,142 €5,71 €
250 - 9951,058 €5,29 €
1000 +1,036 €5,18 €

*precio indicativo

Código RS:
273-5242
Nº ref. fabric.:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-14.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-102nC

Tensión directa Vf

-0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

40 mm

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Nivel lógico

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Modo de mejora

Enlaces relacionados

Recently viewed