MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO080P03SHXUMA1, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5241
Nº ref. fabric.:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-14.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-102nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

-0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Longitud

40mm

Anchura

40 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Nivel lógico

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Modo de mejora

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