MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO080P03SHXUMA1, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5241
Nº ref. fabric.:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-14.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-102nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

-0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Nivel lógico

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Modo de mejora

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