Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA, VDSS 30 V, ID 10.2 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Código RS:: 348-906
Nº ref. fabric.:: ISA150233C03LMDSXTMA
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA, VDSS 30 V, ID 10.2 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

12,38 €

(exc. IVA)

14,98 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 4000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,619 €	12,38 €
200 - 480	0,588 €	11,76 €
500 +	0,545 €	10,90 €

*precio indicativo

Código RS:: 348-906
Nº ref. fabric.:: ISA150233C03LMDSXTMA
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	10.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PG-DSO-8
	Serie	ISA
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	23.3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.2mm
	Anchura	5 mm
	Altura	1.75mm
	Certificaciones y estándares	IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 10.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PG-DSO-8
	Serie ISA
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23.3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.2mm
	Anchura 5 mm
	Altura 1.75mm
	Certificaciones y estándares IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Estándar de automoción No

Datasheet - ISA150233C03LMDSXTMA

COO (País de Origen):: CN

Estos transistores de potencia OptiMOS 3 de Infineon, disponibles en configuraciones complementarias de canal N y P, están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Estos MOSFET presentan una resistencia de encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general del sistema. Además, ofrecen una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Estas características los hacen ideales para diversos diseños de gestión de potencia y eficiencia energética.

100 % a prueba de avalancha

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249‑2‑21

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA, VDSS 30 V, ID 10.2 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados