MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO301SPHXUMA1, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

2.217,50 €

(exc. IVA)

2.682,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 04 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,887 €2.217,50 €

*precio indicativo

Código RS:
273-5243
Nº ref. fabric.:
BSO301SPHXUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PG-DSO-8

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

136nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

40 mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

Longitud

40mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y la cifra de características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Nivel lógico

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Valor nominal de avalancha

Chapado sin plomo

Modo de mejora

Enlaces relacionados