MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO301SPHXUMA1, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-5243
- Nº ref. fabric.:
- BSO301SPHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.217,50 €
(exc. IVA)
2.682,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,887 € | 2.217,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5243
- Nº ref. fabric.:
- BSO301SPHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 136nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Longitud | 40mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 40 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 136nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Longitud 40mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 40 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y la cifra de características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
Nivel lógico
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Valor nominal de avalancha
Chapado sin plomo
Modo de mejora
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, DSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, DSO de 8 pines
- MOSFET Tipo P-Canal Infineon ISA170230C04LMDSXTMA1 ID 9.6 A PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1 ID 7.9 A PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA ID 10.2 A PG-DSO-8 de 8 pines
