MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA170230C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 9.6 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-909
- Nº ref. fabric.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 100 - 240 | 1,22 € | 12,20 € |
| 250 - 490 | 1,129 € | 11,29 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 348-909
- Nº ref. fabric.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie ISA | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Longitud 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Estos transistores de potencia OptiMOS 3 de Infineon, disponibles en configuraciones complementarias de canal N y P, están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Estos MOSFET presentan una resistencia de encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general del sistema. Además, ofrecen una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Estas características los hacen ideales para diversos diseños de gestión de potencia y eficiencia energética.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249‑2‑21
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