MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-907
- Nº ref. fabric.:
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,409 € | 8,18 € |
| 200 - 480 | 0,388 € | 7,76 € |
| 500 - 980 | 0,36 € | 7,20 € |
| 1000 - 1980 | 0,331 € | 6,62 € |
| 2000 + | 0,319 € | 6,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-907
- Nº ref. fabric.:
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie ISA | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Estos transistores de potencia OptiMOS 3 de Infineon, disponibles en configuraciones complementarias de canal N y P, están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Estos MOSFET presentan una resistencia de encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general del sistema. Además, ofrecen una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Estas características los hacen ideales para diversos diseños de gestión de potencia y eficiencia energética.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249‑2‑21
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