MOSFET, Doble N-Canal Infineon ISA170170N04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 9.6 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-912
- Nº ref. fabric.:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,464 € | 9,28 € |
| 200 - 480 | 0,441 € | 8,82 € |
| 500 - 980 | 0,408 € | 8,16 € |
| 1000 - 1980 | 0,376 € | 7,52 € |
| 2000 + | 0,362 € | 7,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-912
- Nº ref. fabric.:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC Standard | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC Standard | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon es un MOSFET de nivel lógico de doble canal N diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Presenta una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que ayuda a reducir las pérdidas de conducción y a aumentar la eficacia general del sistema. Además, el transistor ofrece una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor gestión del calor y fiabilidad en condiciones exigentes. Esta combinación de características lo hace ideal para aplicaciones que requieren una conmutación de potencia y un rendimiento térmico eficientes.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249‑2‑21
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