MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R037CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 349-266
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,46 €
(exc. IVA)
10,24 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,46 € |
| 10 - 99 | 7,62 € |
| 100 - 499 | 7,03 € |
| 500 - 999 | 6,52 € |
| 1000 + | 5,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-266
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPW | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 329W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPW | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 329W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Esta plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infeneon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia al ringing, diodo de cuerpo rápido implementado en todos los productos, con una extraordinaria robustez frente a la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas por conmutación y conducción extremadamente bajas del CM8 hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes.
Apto para topologías de conmutación dura y suave
Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia a la oscilación
Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip
Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia
Soluciones de mayor densidad de potencia gracias al uso de productos de menor tamaño
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO-247, Mejora de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1 ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 600 V Mejora, PG-TO-247 de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, PG-TO-247-3 de 3 pines