MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9092
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R160P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
53,95 €
(exc. IVA)
65,30 €
(inc.IVA)
Añade 100 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 250 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,079 € | 53,95 € |
| 100 - 200 | 0,907 € | 45,35 € |
| 250 + | 0,853 € | 42,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9092
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R160P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 9.45mm | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 9.45mm | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Fácil de usar/conducir
Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC (J-STD20 Y JESD22)
Resistencia a conmutación muy alta
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1 ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines