MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

Código RS:: 171-1920
Nº ref. fabric.:: SPA20N60C3XKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 8	3,78 €	7,56 €
10 - 18	3,595 €	7,19 €
20 - 48	3,235 €	6,47 €
50 - 98	2,91 €	5,82 €
100 +	2,76 €	5,52 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-1920
Nº ref. fabric.:: SPA20N60C3XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	SPA20N60C3
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	190mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	87nC
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	34.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.65mm
	Altura	16.15mm
	Anchura	4.85 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No
	Distrelec Product Id	304-30-528

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie SPA20N60C3
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 34.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.65mm
	Altura 16.15mm
	Anchura 4.85 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No
	Distrelec Product Id 304-30-528

Estado RoHS: No aplica

mosfet infineon

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Infineon TO-220FP-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 190mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 20,7 A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 600V. Tiene una capacidad de disipación de potencia máxima de 34,5W. El MOSFET tiene una tensión de conducción de 10V. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Facilidad de uso

• calidad probada en campo de CoolMOM

• Alta eficiencia y densidad de potencia

• Alta capacidad de Peak Current

• Alta fiabilidad

• Transconductancia Mejorada

• Sin Plomo (Pb)

• carga de compuerta baja (Qg)

• Baja resistencia específica al estado

• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.

• excelente costo/desempeño

• avalancha Periódica

• carga de punto de inyección ultra bajo

• almacenamiento de muy poca energía en capacitancia de salida (Eoss) 400V

Aplicaciones

• Adaptador

• Alimentación del PC

• fuentes de alimentación del servidor

• Telecomunicaciones

Certificaciones

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• JEDEC