MOSFET Infineon SPA20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Infineon es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 190mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 20,7A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 600V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 71W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Facilidad de uso
• Calidad CoolMOS probada en campo
• Alta eficiencia y densidad de potencia
• Alta fiabilidad
• Carga de compuerta baja (QG)
• Baja resistencia específica del estado
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Coste excepcional para el rendimiento
• Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) a 400V uF

• Adaptador
• Alimentación de PC
• Fuentes de alimentación del servidor
• Telecomunicaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC