MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
911-4830
Nº ref. fabric.:
SPW20N60C3FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS C3

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.95mm

Anchura

5.3 mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, corriente de drenaje continua máxima de 21 A, disipación de potencia máxima de 208 W - SPW20N60C3FKSA1


Este MOSFET es vital para numerosas aplicaciones electrónicas, diseñado para mejorar la eficiencia en diversas tareas. Funciona bien en entornos de alta potencia y sirve a los sectores de la automatización, la electricidad y la mecánica. Con especificaciones duraderas, garantiza un rendimiento estable a la vez que gestiona cargas de potencia sustanciales y optimiza el uso de la energía.

Características y ventajas


• La configuración de canal N mejora la capacidad de conducción

• La corriente de drenaje continua máxima de 21 A admite aplicaciones intensivas

• La alta tensión nominal de 650 V proporciona fiabilidad en condiciones difíciles

• La baja carga de puerta facilita la conmutación eficiente, reduciendo las pérdidas de energía

• Su excelente rendimiento térmico permite el funcionamiento a temperaturas elevadas

• Diseñado para montaje pasante, lo que simplifica los procedimientos de montaje

Aplicaciones


• Regulación y gestión del suministro eléctrico en sistemas industriales

• Sistemas de control de motores para un suministro eficiente de energía

• Utilizado en convertidores CC-CC para alta tensión

• Integración en sistemas de energías renovables para una conversión energética eficaz

• Se emplea en electrónica de potencia para mejorar el rendimiento de los dispositivos

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?


Funciona eficientemente a una temperatura máxima de +150°C, adecuada para entornos de alta temperatura sin comprometer el rendimiento.

¿Cómo beneficia la baja carga de puerta al funcionamiento del dispositivo?


Una carga de puerta baja permite velocidades de conmutación más rápidas, reduciendo significativamente las pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia global durante el funcionamiento.

¿Puede este MOSFET soportar ciclos repetidos de alta temperatura?


Sí, está diseñado para mantener sus características eléctricas a lo largo de numerosos ciclos térmicos, lo que garantiza su longevidad en entornos de temperatura variable.

¿Existe un estilo de montaje específico recomendado para este dispositivo?


Este dispositivo está pensado para el montaje a través de orificios, lo que facilita el montaje de placas de circuito impreso y proporciona conexiones mecánicas estables.

¿Qué precauciones de seguridad deben tomarse durante la instalación?


Asegúrese de que la tensión puerta-fuente no supere los límites especificados (-20 V a +20 V) para evitar daños en el dispositivo, y siga las precauciones estándar de ESD para evitar daños por electricidad estática.

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