MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-8995
Nº ref. fabric.:
IPA60R180P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La plataforma Infineon CoolMOS 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P7 600V es la sucesora de la serie CoolMOS P6. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de timbre muy baja, una excelente solidez del diodo del cuerpo contra conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías.

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Adecuado para conmutación dura y suave gracias a una excelente resistencia de conmutación

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