MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R180P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4416
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R180P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,92 €
(exc. IVA)
13,21 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,092 € | 10,92 € |
| 20 - 40 | 1,038 € | 10,38 € |
| 50 - 90 | 0,994 € | 9,94 € |
| 100 - 240 | 0,95 € | 9,50 € |
| 250 + | 0,884 € | 8,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4416
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R180P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.4mm | |
| Anchura | 15.93 mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.4mm | ||
Anchura 15.93 mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1 ID 18 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V TO-220 de 3 pines