MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4881
Nº ref. fabric.:
IPA65R045C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPA65R

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ C7 superJunction MOSFET es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones SMPS e inversor solar

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