MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
165-7676
Nº ref. fabric.:
SPA11N60C3XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS C3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.85 mm

Altura

9.83mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.65mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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