MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R160P6XKSA1, VDSS 600 V, ID 23.8 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
218-2999
Nº ref. fabric.:
IPA60R160P6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

600V CoolMOS P6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Altura

21.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon de potencia de canal N CoolMOS™ 600V. La familia de MOSFET de superunión CoolMOS™ P6 está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Mayor resistencia de mosfet dv/dt

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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