Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
911-4915
Nº ref. fabric.:
SPA11N80C3XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS C3

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

34W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.83mm

Longitud

10.65mm

Anchura

4.85 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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