Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP055N03LGXKSA1, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 130-0923
- Nº ref. fabric.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,31 €
(exc. IVA)
12,48 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Última(s) 90 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,031 € | 10,31 € |
| 50 - 90 | 0,98 € | 9,80 € |
| 100 - 240 | 0,938 € | 9,38 € |
| 250 - 490 | 0,896 € | 8,96 € |
| 500 + | 0,566 € | 5,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 130-0923
- Nº ref. fabric.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.95mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.95mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 50 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V - IPP055N03LGXKSA1
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la importancia de su bajo RDS(on) en aplicaciones de potencia?
¿Cómo soporta este MOSFET las altas temperaturas durante su funcionamiento?
¿Qué tipo de aplicaciones pueden beneficiarse del diseño de transistores en modo de mejora?
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia VDSS 30 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 60 V Mejora, sTOLL de 5 pines
- Transistor de potencia VDSS 60 V Mejora, sTOLL de 5 pines
- Transistor de potencia VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
