Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP055N03LGXKSA1, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 130-0923
Nº ref. fabric.:: IPP055N03LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP055N03LGXKSA1, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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*precio indicativo

Código RS:: 130-0923
Nº ref. fabric.:: IPP055N03LGXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Superficie, Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd	68W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.36mm
	Altura	15.95mm
	Anchura	4.57 mm
	Certificaciones y estándares	IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd 68W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.36mm
	Altura 15.95mm
	Anchura 4.57 mm
	Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 50 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V - IPP055N03LGXKSA1

Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para diversas aplicaciones electrónicas, incluidos los sistemas de gestión de potencia. Presenta un encapsulado TO-220 con orificios pasantes, que mide 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm. Especialmente indicado para las industrias de automatización y eléctrica, este dispositivo garantiza un rendimiento óptimo en condiciones rigurosas.

Características y ventajas

• La capacidad de conmutación rápida mejora la eficiencia en aplicaciones de potencia

• La baja resistencia de la fuente de drenaje minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• Avalancha nominal para una mayor durabilidad bajo tensión

• El diseño de canal N de nivel lógico permite la compatibilidad con accionamientos de bajo voltaje

• Corriente de drenaje continua máxima de 50 A para tareas exigentes

Aplicaciones

• Se utiliza para la conversión CC/CC en fuentes de alimentación

• Ideal para la rectificación síncrona en convertidores de alta eficiencia

• Facilita el control de motores en sistemas de automatización industrial

• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos

• Adecuado tanto para la electrónica de consumo como para las energías renovables

¿Cuál es la importancia de su bajo RDS(on) en aplicaciones de potencia?

Un RDS(on) bajo reduce la caída de tensión en estado encendido, lo que disminuye directamente la generación de calor y mejora la eficiencia. Esto es crucial para mantener el rendimiento en aplicaciones de alta corriente, garantizando que se desperdicie menos energía en forma de calor.

¿Cómo soporta este MOSFET las altas temperaturas durante su funcionamiento?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, presenta unas características térmicas robustas que le permiten funcionar con fiabilidad en entornos difíciles sin comprometer su rendimiento.

¿Qué tipo de aplicaciones pueden beneficiarse del diseño de transistores en modo de mejora?

Los transistores de modo de mejora se utilizan ampliamente en aplicaciones de conmutación, ya que proporcionan un excelente control sobre el flujo de corriente, lo que los hace ideales para soluciones eficientes de gestión de potencia. Esto incluye su uso en fuentes de alimentación y motores de corriente continua.