MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IRLMS6802TRPBF, VDSS 20 V, ID 5.6 A, Mejora, TO-263 de 2 pines
- Código RS:
- 220-7501
- Nº ref. fabric.:
- IRLMS6802TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 220-7501
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- IRLMS6802TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1 mm | |
| Altura | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1 mm | ||
Altura 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon de canal P de International Rectifier utilizan técnicas Advanced Processing para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un dispositivo muy eficaz para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El encapsulado Micro6 con su bastidor de cable personalizado produce un MOSFET de alimentación HEXFET® con RDS(on) un 60 % menos que un SOT-23 de tamaño similar. Este encapsulado es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es fundamental. El exclusivo diseño térmico y la reducción RDS(on) permiten un aumento de la gestión de corriente de casi un 300 % en comparación con el SOT-23.
Resistencia de encendido ultrabaja
MOSFET de canal P
Montaje superficial
Disponible en cinta y carrete
Sin plomo