MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRF60SC241ARMA1, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 220-7472
- Nº ref. fabric.:
- IRF60SC241ARMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,645 € | 7,29 € |
| 20 - 48 | 3,39 € | 6,78 € |
| 50 - 98 | 3,17 € | 6,34 € |
| 100 - 198 | 2,955 € | 5,91 € |
| 200 + | 2,735 € | 5,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7472
- Nº ref. fabric.:
- IRF60SC241ARMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 363A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 311nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Altura | 4.4mm | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 363A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 311nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.2mm | ||
Altura 4.4mm | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los dispositivos MOSFET Infineon de potencia IRFET más recientes de 60 V están optimizados para RDS(on) de alta corriente y baja, lo que los convierte en la solución ideal para aplicaciones alimentadas por batería de alta corriente.
Baja RDS(on)
Capacidad de corriente alta
Carcasa estándar industrial
Configuración de contactos flexible
Optimizado para accionamiento de puerta de 10 V.
Reducción de las pérdidas de conducción
Mayor densidad de potencia
Sustitución directa de dispositivos existentes
Ofrece flexibilidad de diseño
Proporciona inmunidad al encendido falso en entornos ruidosos
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