MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 105 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
214-8958
Nº ref. fabric.:
AUIRFS4115-7TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

380W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Apto para automoción

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