MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7430TRL7PP, VDSS 40 V, ID 522 A, Mejora, TO-263 de 6 pines

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Código RS:
872-4202
Nº ref. fabric.:
IRFS7430TRL7PP
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

522A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750μΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

305nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.65 mm

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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