MOSFET Infineon IRFS7430TRL7PP, VDSS 40 V, ID 522 A, D2PAK (TO-263) de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 872-4202
Nº ref. fabric.:: IRFS7430TRL7PP
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS7430TRL7PP, VDSS 40 V, ID 522 A, D2PAK (TO-263) de 6 pines, , config. Simple

88 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 4)

1,463 €

(exc. IVA)

1,77 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
4 +	1,463 €	5,852 €

*precio indicativo

Código RS:: 872-4202
Nº ref. fabric.:: IRFS7430TRL7PP
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	522 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	750 μΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.2V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	305 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Ancho	9.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.2V