MOSFET STMicroelectronics STD1NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 168-6684
- Nº ref. fabric.:
- STD1NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
325,00 €
(exc. IVA)
400,00 €
(inc.IVA)
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,13 € | 325,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-6684
- Nº ref. fabric.:
- STD1NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 16 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 45 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Ancho | 6.2mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7,7 nC a 10 V | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 1 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 800 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 16 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 45 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Ancho 6.2mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 7,7 nC a 10 V | ||
Longitud 6.6mm | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 2.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- MY