Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 168-7779
Nº ref. fabric.:: TK58E06N1
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

56,30 €

(exc. IVA)

68,10 €

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 +	1,126 €	56,30 €

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Código RS:: 168-7779
Nº ref. fabric.:: TK58E06N1
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	105A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TK
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	15.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.16mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 105A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TK
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 15.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.16mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: JP

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Transistores MOSFET, Toshiba

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