MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-8958
Nº ref. fabric.:
STP100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET F7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.6 mm

Altura

9.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics


La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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