- Código RS:
- 169-8538
- Nº ref. fabric.:
- NDS0610
- Fabricante:
- onsemi
32440 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,096 €
(exc. IVA)
0,116 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 0,096 € | 288,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 169-8538
- Nº ref. fabric.:
- NDS0610
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
Diseño de celdas de alta densidad
corriente de saturación alta
conmutación superior
Gran rendimiento robusto y fiable
Tecnología DMOS
Diseño de celdas de alta densidad
corriente de saturación alta
conmutación superior
Gran rendimiento robusto y fiable
Tecnología DMOS
Aplicaciones:
Conmutación De Carga
Convertidor CC/CC
Protección de la batería
Control de administración de energía
Control del motor de CC
Convertidor CC/CC
Protección de la batería
Control de administración de energía
Control del motor de CC
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 10 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 360 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 1.3mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 1,8 nC a 10 V |
Material del transistor | Si |
Longitud | 2.92mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 0.93mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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