MOSFET Infineon SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Estos MOSFET de potencia HEXFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzado para lograr la resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un dispositivo muy eficaz para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El SO-8 se ha modificado con un conductor personalizado para mejorar las características térmicas y capacidad de matriz múltiple, que lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con una reducción drástica del espacio de la placa. El encapsulado está diseñado para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Ventajas:
MOSFET de canal P

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.