MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 170-2309
- Nº ref. fabric.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2309
- Nº ref. fabric.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSC040N10NS5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.86V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSC040N10NS5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.86V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 5.49mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon BSC040N10NS5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de 100V V CON PEAJE y está optimizado para rectificación síncrona, y es ideal para conmutación de frecuencia de conmutación alta.
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
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