MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 8.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-4851
- Nº ref. fabric.:
- PMV16XNR
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 170-4851
- Nº ref. fabric.:
- PMV16XNR
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | PMV16XN | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.94W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie PMV16XN | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.94W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Soluciones de conmutación para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simples y dobles hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1200 mW
Aplicaciones de destino
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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