MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
136-4786
Nº ref. fabric.:
BSH205G2R
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSH205G2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Longitud

3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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