MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia BSH205G2R, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 136-4849
- Nº ref. fabric.:
- BSH205G2R
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 100 unidades)*
12,90 €
(exc. IVA)
15,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 3000 Envío desde el 25 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 0,129 € | 12,90 € |
| 600 - 1400 | 0,106 € | 10,60 € |
| 1500 + | 0,092 € | 9,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 136-4849
- Nº ref. fabric.:
- BSH205G2R
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BSH205G2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BSH205G2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
