MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 153-0707
- Nº ref. fabric.:
- PMV27UPEAR
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-0707
- Nº ref. fabric.:
- PMV27UPEAR
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -5.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.15W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -5.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.15W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.
MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada: Ptot = 980 mW
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado alto
Circuitos de conmutación
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