MOSFET Nexperia PMV65XPEAR, VDSS -20 V, ID 3,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de automoción. La cartera de más grande del mundo de MOSFET de potencia con certificación AEC-Q101. Un profundo conocimiento de los requisitos de los sistemas de automoción y una gran capacidad técnica permite a Nexperia proporcionar soluciones de semiconductores de potencia en un amplio espectro de aplicaciones. Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.

Conforme a AEC-Q101
Índice de avalancha repetitiva
Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada: Ptot = 890 mW
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101